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二硅化鈦,TiSi2 

發布時間:2016/05/13
二硅化鈦,TiSi2


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二硅化鈦 中文激光粒度水印_600.png

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硅化鈦,分子量:116.1333,CAS號:12039-83-7,MDL號:MFCD01310208

EINECS號:234-904-3。

硅化鈦性能:在高溫耐氧化性優良,用作耐熱材料,高溫發熱體等。

硅化鈦被廣泛應用于金屬氧化物半導體(MOS),金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)

和動態隨機存儲器(DRAM)的門、源/漏極、互聯和歐姆接觸的制造當中,其應用舉例如下:

1)制備一種硅化鈦阻擋層,采用所述硅化鈦阻擋層的制作方法的器件包括由隔離區隔開的

non-silicide區域和silicide區域,器件上表面覆蓋有一層犧牲氧化層。

2)制備一種原位合成硅化鈦(Ti5Si3)顆粒增強鋁碳化鈦(Ti3AlC2)基復合材料。

本發明可以在較低的溫度和較短的時間內制備出具有高純度、高強度的鋁碳化鈦/硅化鈦復合材料。

 3)制備復合功能硅化鈦鍍膜玻璃。在普通浮法玻璃基板上沉積一層薄膜或在它們之間再沉積一層硅薄膜。

通過制備得到硅化鈦和硅的復合薄膜或在薄膜中摻入少量具有活性的碳或氮得到硅化鈦復合碳化硅或碳化鈦

或者硅化鈦復合氮化硅或氮化鈦的復合薄膜,可使該鍍膜玻璃的機械強度和耐化學腐蝕能力得到提高。

本發明是一種結合調光隔熱和低輻射玻璃功能于一身的一種新型的鍍膜玻璃。

 4)制備一種半導體元件,包括一硅襯底,硅襯底上形成有柵極、源極和漏極,柵極和硅襯底之間形

成有一層絕緣層,柵極由位于絕緣層上的多晶硅層和位于多晶硅層上的硅化鈦層組成,硅化鈦層上形成

有保護層,保護層、硅化鈦層、多晶硅層和絕緣層的周圍環繞有三層結構層,由里到外依次為氮化硅間

隙壁層、親層和氧化硅間隙壁層,源極和漏極上形成有硅化鈦層,硅襯底上形成有內層介電層,內層

介電層中形成有接觸窗開口。本實用新型通過采用上述技術方案,可使得柵極和接觸窗口內的導線

可以完全絕緣,不會發生短路現象。

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